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Depletion Mode
MOSFET
IXTY1R6N100D2
IXTA1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
V DSX
I D(on)
R DS(on)
=
>
≤
1000V
1.6A
10 Ω
N-Channel
TO-252 (IXTY)
G
S
D (Tab)
Symbol
V DSX
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
1000
V
TO-263 AA (IXTA)
V GSX
V GSM
P D
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
100
V
V
W
G
S
D (Tab)
T J
T JM
T stg
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
° C
° C
° C
TO-220AB (IXTP)
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
300
260
° C
° C
DS
M d
Weight
Mounting Torque (TO-220)
TO-252
TO-263
TO-220
1.13 / 10
0.35
2.50
3.00
Nm/lb.in.
g
g
g
G = Gate
G
D (Tab)
D = Drain
S = Source
Tab = Drain
Features
? Normally ON Mode
? International Standard Packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? Molding Epoxies Meet UL 94 V-0
Flammability Classification
BV DSX
V GS = - 5V, I D = 250 μ A
1000
V
Advantages
V GS(off)
V DS = 25V, I D = 100 μ A
- 2.5
- 4.5
V
? Easy to Mount
I GSX
I DSX(off)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSX , V GS = - 5V
T J = 125 ° C
± 100 nA
2 μ A
25 μ A
? Space Savings
? High Power Density
Applications
R DS(on)
I D(on)
V GS = 0V, I D = 0.8A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 50V, Note 1
1.6
10
Ω
A
?
?
?
Audio Amplifiers
Start-Up Circuits
Protection Circuits
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
?
?
?
Ramp Generators
Current Regulators
Active Loads
DS100185B(03/11)
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IXTY24N15T 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTY2N60P 功能描述:MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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